1. 肖特基二極管導通電壓比普通二極管低
穩壓二極管與肖特基二極管的區別在于：肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓的條件下會處于導通的狀態，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩壓作用。
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2. 肖特基二極管與普通二極管
肖特基二極管用于高頻整流電路， 普通二極管用于工頻整流電路 肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管。
具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢
3. 肖特基二極管導通電阻
那就是鍺二極管和肖特基二極管了，鍺二極管現在已很少見到，肖特基二極管正向導通壓降為0.3V左右的有MBR0520（0.31V@0.1A）、MSR0320（0.27V@1A）、MBR120（0.34V@1A）、MBRM110（0.28V@0.1A）、MBRA120（0.35V@2A）、MBRS410（0.33V@4A）。
4. 肖特基二極管適用于電壓
HER3007P是肖特基管又叫快恢復功率二極管。電流30A，耐壓800V。這個二極管的兩個結壓降比較小，和普通整流二極管測量值不同！ 科普一下肖特基管：肖特基二極管（又譯蕭特基二極管）是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極管，是利用肖特基勢壘特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·肖特基（Walter H. Schottky）。
肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提升系統的效率。
結構
肖特基二極管是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極管中由半導體-半導體接面產生的P-N結不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。
反向恢復時間
5. 肖特基二極管為什么具有單向導電性
1、整流
利用肖特基二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。
在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負極流出。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加電壓使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。
肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路，全波整流。整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個肖特基二極管封在一起。半橋是將四個肖特基二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路；在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個肖特基二極管進行工作，通過肖特基二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。
2、開關
肖特基二極管 在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用肖特基二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
由于肖特基二極管具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止狀態，其電阻很大，一般硅肖特基二極管在10ΜΩ以上，鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性，肖特基二極管將在電路中起到控制電流接通或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。
最基本的開關電路如圖所示，在這個電路中，肖特基二極管的兩端分別通過電阻連接到Vcc和GND上，肖特基二極管處于反向偏置的狀態，不會導通。通過C1點施加的交流電壓就無法通過肖特基二極管，在C2后無法檢測到交流成分。
在這張圖中，肖特基二極管的接法與上圖相反，處于正向導通狀態的肖特基二極管可以使得施加在C1點的交流信號通過肖特基二極管，并在C2的輸出出呈現出來。這就是二極管導通時的狀態，我們也可稱它為開關的“導通”狀態。
這是一個最簡單的電路，通過直流偏置的狀態來調節肖特基二極管的導通狀態。從而實現對交流信號的控制。在實用的過程中，通常是保證一邊的電平不變，而調節另一方的電平高低，從而實現控制二極管的導通與否。在射頻電路中，這種設計多會在提供偏置的線路上加上防止射頻成分混入邏輯/供電線路的措施以減少干擾
6. 肖特基二極管工作電壓
不屬于肖特基，最普通的整流二極管，小電流情況下可以用，我一般用在RCD箝位電路里
二極管類型:小信號
電流, If 平均:150mA
電壓, Vrrm:100V
正向電壓 Vf 最大:1V
時間, trr 最大:4ns
電流, Ifs 最大:500mA
封裝形式:DO-35
7. 肖特基二極管與穩壓二極管區別
肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非?？?，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。
肖特基二極管是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻染劑的N一外延層。陽性（阻擋層）金屬材料是鉬。二氧化硅用來消除邊緣區域電場，提高肖特基二極管的耐壓值。N型基片摻雜濃度比N一層高100倍，具有很小的通態電阻?；虏康腘+陰極層用以減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基二極管。
快恢復二極管是近年來問世的新型半導體器件，它具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優點?？勺鞲哳l、大電流的整流、續流二極管，在開關電源、脈寬調制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電機變頻調速等電子設備中得到了廣泛的應用，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
快恢復二極管的一個重要參數是反向恢復時間trr，其定義是：電流流過零點由正向轉換成反向，再由反向轉換到規定的值Irr時的時間間隔，它是衡量高頻續流、整流器件性能的重要技術參數。
快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降， 使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。
8. 肖特基二極管導通電壓高
肖特基二極管主要特點是正向導通壓降小，反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、超高速半導體器件。缺點是耐壓比較低、反向漏電流比較大。
肖特基二極管的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管反向恢復時間。因為反向恢復電荷少，肖特基二極管開關速度極快，開關損耗也極小，特別適合于高頻應用。
所以，肖特基二極管一般都應用在高頻的充電電路中及在變頻器、開關電源、模塊電源、驅動電路等場合，作為整流二極管、保護二極管、續流二極管等使用，在微波通信等電路中作為整流二極管。
9. 肖特基二極管的導通電壓
二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7v，鍺管為0.3v）。
正向特性在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2v，硅管約為0.6v）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3v，硅管約為0.7v），稱為二極管的“正向壓降”。
10. 肖特基二極管導通電壓比普通二極管低嗎
當輸出電壓因為負載重，或者其他電路原因，引發輸出端電壓升高，達到d6反向擊穿電壓后，二極管導通，限制輸出電壓，同時流過d6電流急劇增大，引起短路燒毀，電源短路保護動作，關停電源，這樣負載（電器）就不會過壓燒毀，從而保護好重要的電器。
